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小身材大功能---防倒灌和浪涌抑制
发布者:网站管理员-LX123 发布时间:2019-12-24 15:17:19 省份:北京 阅读:218次 【字体:

小身材大功能---防倒灌和浪涌抑制

 

(来源:电子元件技术网)  

 

【导读】小系统工程师设计会选择小巧、简单实用的负载开关来控制时序和减少功耗,但却时常被无法切断倒灌烦恼。开关两侧都可能供电时,断开开关需要防止透过体二极管倒灌。基本的MOSFET开关是个单向开关,不能阻断两个方向的电流。

小系统工程师设计会选择小巧、简单实用的负载开关来控制时序和减少功耗,但却时常被无法切断倒灌烦恼。开关两侧都可能供电时,断开开关需要防止透过体二极管倒灌。基本的MOSFET开关是个单向开关,不能阻断两个方向的电流。

如果您正在被这些问题困扰,请看看SGM2564是如何阻止倒灌的。

设计理念

SGM2564系列产品的开关衬底控制独立于其它电路;在双侧电源条件下,仅藉由ON引脚来控制接通和断开可能在任何一侧的电源、不管哪一侧电压较高。断开开关时开关两侧的电压在SGM2564衬底控制电路内竞争、互锁,衬底被自动连接到低电压一侧、阻断电流通过。SGM2564的这一特点适合用于脉冲供电、电容保持的场景和象利用HDMI连接互操作那样系统局部被外来供电启动的场景。

SGM2564系列产品有浪涌电流抑制功能。接通负载瞬间,如果不加专门控制,对负载侧电容的快速充电导致电流浪涌、相当于瞬间被电容短路。电流的浪涌可引起源侧电压跌落,严重时致使宿主功能紊乱。SGM2564系列产品有两种浪涌抑制方式可选;一是电压软启动、即以受控的速度慢慢提升输出电压直到彻底接通,二是渐增恒流启动、限制启动过程输出到负载的电流。第一种方式有利于避免启动过程中出现电压回沟,如果负载在这过程中突然变大,输出电流仅受短路保护电流水平限制;它适合大储能电容负载和随电源接入启动的应用电路。第二种方式对电源冲击最小,由其恒流电流决定;它适合源侧供应能力有限的应用,但它在输出电压上升过程中可能因负载启动引起回沟。

SGM2564系列产品的工作电压范围低至1 V,适合宽电压范围的物联网终端产品和便携设备设计。其超低静态功耗助力实现绿色环保。

产品特性

● 超小封装尺寸WLCSP-1.45×0.95-6B

● 工作电压:1V至5.5V

● 超低导通电阻,VIN= 3.3V时,RON= 16mΩ(TPY),支持4A(MAX)电流能力

● 较低的待机电流:180nA(TYP)

● 支持低电压系统,满足各种小电池系统的供电要求

● 工作温度范围为扩展工业温度-40℃到+85℃

 

典型应用电路

 

产品优势

●  Inrush控制,高可靠性

●  防倒灌

●  超低的静态功耗及超小尺寸

●  SGMICRO强大的供货能力保障供应链稳定

●  就近的服务支持

 

 

(编辑:司空)

 
 

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